126
Sähköiset tunnusarvot
Osat ja tuloarvot
Sähköisten tunnusarvojen mittaus, 37 °C ja 500 ohm:
Kotelomuoto
Implantin kotelon muoto:
Sähköä johtava pinta
Implantin kotelon pinta:
Impulssimuoto
Tahdistusimpulssin muoto:
Impulssiamplitudi saavuttaa maksimi arvonsa
impulssin alussa (Ua). Tahdistuksen keston
pidentyessä (tb) amplitudi vähenee tahdistus-
impedanssista riippuen.
Sieto
BIOTRONIK-implanttien kaikki mallit täyttävät standardin prEN 45502-2-1: 2006,
§ 27.5.1 mukaiset vaatimukset korkeimmassa herkkyydessä.
Telemetria
Telemetriatiedot Home Monitoring -järjestelmässä:
Paristotiedot
Paristotyypin tunnusarvot
Valmistajan antamat tiedot:
Virrankulutus
• BOS, inhiboitu: 7 µA
• BOS, 100 % tahdistus: 18 µA
Virtapiiri
Hybridielektroniikka ja VLSI-CMOS-siru
Tuloimpedanssi
> 10 kOhm
Impulssimuoto
Kaksivaiheinen, asymmetrinen
Napaisuus
Katodinen
Implanttityyppi
3-lokero
Pinnoittamaton
Laakea ellipsoidi
Pinnoitettu
Implanttityyppi
3-lokero
Pinnoittamaton [cm
2
]
33
Pinnoitettu [cm
2
]
7
Nimelliskantotaajuus
Maksimi lähetysteho
403,62 MHz
< 25 µW
-16 dBm
Valmistaja
GREATBATCH, INC.
Clarence, NY 14031, USA
LITRONIK GmbH
01796 Pirna, Saksa
Paristotyyppi
GB 2596
LiS 3150M
Järjestelmä
Ag/SVO/CFx
QMR
®
LiMn0
2
Implanttityyppi
HF(-T)
HF(-T)
Paristojännite BOS-tilassa
3,0 V
3,1 V
Tyhjäkäyntijännite
3,0 V
3,1 V
Nimellisvarauskyky
1,3 Ah
1,2 Ah
Loppuvarauskyky ERI:ssä
0,2 Ah
0,2 Ah
Käytettävä teho EOS-tilaan saakka 1,1 Ah
1,0 Ah
387513--D_GA_Evia-HF-ProMRI_mul.book Page 126 Thursday, September 12, 2013 3:34 PM