DVM68N
VELLEMAN
41
4.3 Widerstand
Bereich
Auflösung
Genauigkeit
400.0
Ω
0.1
Ω
4.000k
Ω
1
Ω
40.00k
Ω
10
Ω
400.0k
Ω
100
Ω
4.000M
Ω
1k
Ω
± (1.2% + 2 Digits)
40.00M
Ω
10k
Ω
± (2.0% + 5 Digits)
Überlastungsschutz: 250V DC oder 150V AC rms
Spannung für offenen Stromkreis: ± 250mV
4.4 Dioden
Bereich
Auflösung
Funktion
1mV
Die Vorwärtsspannung der
Diode erscheint im Display
DC-Durchlassstrom: ± 1mA
DC-Sperrspannung: ± 1.5V
Überlastungsschutz: 250V DC oder 150V AC rms
4.5 Durchgang
Bereich
akustisches Warnsignal
≤
50
Ω
Leerlaufspannung: ± 0.5V
Überlastungsschutz: 250V DC oder 250V AC rms
4.6 Transistor
Bereich
Umschreibung
Testbedingungen
hFE
der hFE-Wert (0 ~ 1000) des
geprüften Transistors (alle
Typen) erscheint im Display
Basisstrom ± 10
µ
A, Vce ± 2.8V
4.7 Kapazität
Bereich
Auflösung
Genauigkeit
4nF
1pF
± (5.0% + 5 Digits)
40nF
10pF
400nF
100pF
4
µ
F
1nF
40
µ
F
10nF
200
µ
F
100nF
± (3.0% + 3 Digits)
Überlastungsschutz: 250V DC oder 250V AC rms
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