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c) Messtoleranzen
Messgenauigkeit: ± (% vom Wert + Anzahl der Counts)
Die Messgenauigkeit ist unter den folgenden Bedingungen ein Jahr lang garantiert:
•
Umgebungstemperatur: +3 °C (± 5 °C), ≤ 75 % rF (nicht kondensierend)
•
Betriebstemperatur*: +18 bis +28 °C (± 1 °C)
*Außerhalb dieses Temperaturbereichs gilt der folgende Temperaturkoeffizient: +0,1 x (angegebene Genauigkeit) / °C.
Beachten Sie, dass die Messung erheblich beeinträchtigt werden kann, wenn das Gerät in einem hochfrequenten
elektromagnetischen Feld betrieben wird.
d) Messung der Kapazität
Bereich
Auflösung
Genauigkeit
6,000 nF
1 pF
± (5 % + 10)
60,00 nF – 600,0 μF
10 pF – 0,1 μF
± (4 % + 7)
6,000 mF – 60,00 mF
1 μF – 10 μF
± 13 %
Überlastschutz: 600 V
e) Durchgangsprüfung ( ) und Diodentest ( )
Bereich
Auflösung
Anmerkung
0,1 Ω
•
Schaltung unterbrochen: Widerstand >100 Ω, kein Signalton.
• Schaltung mit guter Verbindung zwischen den Messpunkten: Widerstand
>30 Ω, sich durchgehend wiederholende Signaltöne.
1 mV
• Spannung bei nicht verbundenen Messleitungen: etwa 3 V
• In Durchlassrichtung gemessener Spannungsabfall bei Silizium-Dioden:
etwa 0,5 – 0,8 V
Überlastschutz: 600 V
f) Messung von Gleichspannung (DC)
Bereich
Auflösung
Genauigkeit
600,0 mV
0,1 mV
± (0,9 % + 4)
6,000 V
0,001 V
± (0,6 % + 4)
60,00 V
0,01 V
± (0,9 % + 4)
600,0 V
0,1 V
•
Eingangsimpedanz: ≥ 1000 MΩ für mV-Messbereich (Kurzschluss ermöglicht ≤ 5 Kommastellen), etwa 10 MΩ
für die übrigen Messbereiche.
• Eingangsspannung: max. 600 V
