v
LASER
Type
Semiconductor laser GaAS/GaAlAs
Wave length
790 nm
Output Power
7 mW
LASER
Type
Laser semi-conducteur GaAs/GaAlAs
Longueur d’onde
790 nm
Puissance de sortie 7 mW
LASER
Typ
Halbleiterlaser GaAs/GaAlAs
Wellenlänge 790
nm
Ausgangsleistun 7
mW
LASER
Typ Halvledarlaser
GaAs/GaAlAs
Våglängd 790
nm
Uteffekt 7
mW
LASER
Tipo
Laser semiconduttore GaAs/GaAlAs
Lunghezza d’onda 790
nm
Potenza di uscita
7 mW
LÁSER
Tipo
Láser semiconductor GaAs/GaAlAs
Longitud de onda 790 nm
Potencia de salida 7 mW
LASER
Type Halfgeleiderlaser
GaAs/GaAlAs
Golflengte 790
nm
Uitgangsvermogen 7
mW
Лазер
Тип
полупроводниковый
лазер
GaAs/
GaAlAs
Длина
волны
790
нм
Выходная
мощность
7
мВт
CAUTION
Use of controls or adjustments or performance of procedures
other than those specified herein may result in hazardous
radiation exposure.
AVERTISSEMENT
L’utilisation de commandes et l’emploi de réglages ou de
méthodes autres que ceux décrits ci-dessous, peuvent
entraîner une exposition à un rayonnement dangereux.
VORSICHT
Die Verwendung von Bedienelementen oder die Einstellung
bzw. die Ausführung von anderen als in dieser Anleitung
beschriebenen Vorgängen kann zu Gefährdung durch
gefährliche Strahlung führen.
OBSERVERA
Användning av reglage eller justeringar eller utförande av
åtgärder på annat sätt än så som beskrivs häri kan resultera i
farlig strålning.
ATTENZIONE
L’uso di controlli, regolazioni, operazioni o procedure non
specificati in questo manuale possono risultare in esposizione
a radiazioni pericolose.
PRECAUCIÓN
El uso de los controles, los ajustes o los procedimientos que
no se especifican enste manual pueden causar una exposición
peligrosa a la radiación.
LET OP
Gebruik van bedieningsorganen, instellingen of procedures
anders dan beschreven in dit document kan leiden tot
blootstelling aan gevaarlijke stralen.
ПРЕДОСТЕРЕЖЕНИЕ
Использование
органов
управления
или
произведение
настроек
или
выполнение
процедур
,
не
указанных
в
данной
инструкции
,
может
отразиться
на
выделении
опасной
радиации
.